ВЛАСОВ АНДРІЙ ПЕТРОВИЧ

2018:

1. Vlasov A. Technical Means in Training and Competitive Activity of Weightlifters / A. Vlasov, B. Panarin// Using sports, culture, and social studies as means to rediscover lost values : abstract book of 6thInternational Conference on Science, Culture, and Sport (25–27 April 2018). – Lviv, 2018. – P. 315.

2. Gyroscope Accelerometry Utilization for Monitoring Movements during Sport Activity / A.Vlasov, L. Monastyrskii, O. Petryshyn, V. Lozynski // Using sports, culture, and social studies as means to rediscover lost values : abstract book of 6th International Conference on Science, Culture, and Sport (25–27 April 2018). – Lviv, 2018. – P. 312.

3. System Approach in Mathematical Modelling of Objects and Processes in Sport Activity / A. Vlasov, O. Ivashchenko, A. Lopatiev, Y. Pjanylo, O. Khudolii // Using sports, culture, and social studies as means to rediscover lost values : abstract book of 6th International Conference on Science, Culture, and Sport (25–27 April 2018). – Lviv, 2018. – P. 313.

 

2017:

1.Власов А. П. Інформаційне забезпечення тренувального процесу висококваліфікованих стрільців з лука / Власов А. П., Івашко М. В., Свістельник І. Р. // Теорія та методика фізичного виховання. – 2017. –Т. 17, № 1. – С. 42–47.

2.Лопатьєв А. О. Функціонування системи «Стрілець – зброя – мішень» з врахуванням інергоінформаційної та гравітаційної взаємодії / Лопатьєв А. О., Власов А. П., Демічковський А. П. // Теорія та методика фізичного виховання. – 2017. – Т. 17, № 1. – С. 48–52.

3. Лопатьєв А. О. Особливості моделювання біомеханічних та біологічних систем / Лопатьєв А. О., ВласовА. П., Демічковський А. П. // Теорія та методика фізичного виховання. – 2017. –Т. 17, № 2. – С. 79–85.

4. Лопатьєв А. О. Енергоінформаційні та гравітаційні взаємодії у функціонуванні системи «стрілець – зброя – мішень» / Лопатьєв А. О., Власов А. П., Демічковський А.П. // Актуальні проблеми фізкультурної освіти : матеріали ХIІ електрон. наук. конф. (28 квітня 2017 року, м.Харків). – Харків, 2017. – С. 26–33.

5. Монастирський Л. Моделювання рухів під час виконання лучниками стрілецьких вправ / Любомир Монастирський, Андрій Власов, Олег Петришин // Моделювання та інформаційні технології у фізичному вихованні і спорті : зб. матеріалів ХІІІ Міжнар. наук. конф. – Львів, 2017. – С. 40–42.

6. Підходи до аналізу числових рядів / Ярослав П'янило, Анатолій Лопатьєв, Галина П'янило, Андрій Власов // Моделювання та інформаційні технології у фізичному вихованні і спорті : зб. матеріалів ХІІІ Міжнар. наук. конф. – Львів, 2017. – С. 47–52.

7. Система відбору спортсменів до складу збірної команди України зі стрільби з лука при підготовці до Ігор ХХХІ Олімпіади (Ріо-де-Жанейро) / Антонов С. В., Власов А. П., Пітин М. П., Свістельник І. Р., Логінов Д. О. // Науковий часопис Нац. пед.ун-ту ім. М. П. Драгоманова. Серія 15, Науково-педагогічні проблеми фізичної культури (фізична культура і спорт) : [зб. наук. пр.]. – Київ, 2017. – Вип. 2 (83) 17. – С. 7–11. (ВАК)

 

2016:

1. Львівський державний університет фізичної культури (1946–2016) : попул. енцикл. / авт. кол. : Ф. Музика, А. Вовканич, В. Левків, А. Власов [та ін.] ; упоряд. О. Борис ; за заг. ред. Є. Приступи. – Львів : ЛДУФК, 2016. – 488 с. – ISBN 978-966-7336-01-2.

2. Постановка та розв'язки задач теплопровідності та термодифузії для об'єктів у екстремальних умовах / Ярослав П'янило, Анатолій Лопатьєв, Андрій Власов, Назар Штангрет // Моделювання та інформаційні технології у фізичному вихованні та спорті : тези доп. ХІІ Міжнар. наук. конф. Львів, 2016. С. 9194.

3. Розвиток і застосування неїнвазивних методів аналізу лактату при фізичних навантаженнях / Юрій Борецький, Богдан Кіндзер, Володимир Трач, Андрій Власов, Федір Музика // Моделювання та інформаційні технології у фізичному вихованні та спорті : тези доп. ХІІ Міжнар. наук. конф. Львів, 2016. С. 4548.

4. Системний підхід і математичне моделювання біологічних та природних об’єктів і процесів / Власов А., Демічковський А., Іващенко О., Лопатьєв А., Пітин М., П’янило Я., Худолій О. // Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології : наук. зб. – Львів, 2016. – Вип. 23. – С. 17−28.

5. Функціонування біотехнічної системи в спорті / Анатолій Лопатьєв, Андрій Власов, Андрій Демічковський, Василь Ткачек // Моделювання та інформаційні технології у фізичному вихованні та спорті : тези доп. ХІІ Міжнар. наук. конф. Львів, 2016. С. 6 9.

6. Barrier structures on the basis of graded-band-gap CdHgTe obtained by evaporation-condensation-diffusion method / Z. Świątek, A. P. Vlasov, M. V. Ivashko, R. L. Petryna, A. Yu. Bonchyk, B. S. Sokolovskii // Arch. Metall. Mater. – 2016. – Vol. 61, N 1. – P. 115 – 122.

 

2015:

1. Власов А. Моделювання інформаційного обміну засобами відео та мультимедійних технологій в тренувальному процесі висококваліфікованих лучників / Власов А. П., Івашко М. В. // Моделювання та інформаційні технології у фізичному вихованні і спорті : матеріали ХІ Міжнар. наук. конф. – Х., 2015. – С. 34 – 38.

2. Власов А. П. Моделювання тренувального процесу кульовиків високої кваліфікації із застосуванням комплексних засобів контролю / Власов А. П., Лопатьєв А. О., Мандрик І. // Моделювання та інформаційні технології у фізичному вихованні і спорті : матеріали ХІ Міжнар. наук. конф. – Х., 2015. – С. 19 – 22.

3. Енергоінформаційна та гравітаційна взаємодії при аналізі рухових дій / Лопатьєв А. О., Власов А. П., Трач В. М., Попов Д. В. // Моделювання та інформаційні технології у фізичному вихованні і спорті : матеріали ХІ Міжнар. наук. конф. – Х., 2015. – С. 3 – 7.

4. Пристрій дистанційного контролю кута нахилу стегна відносно гомілки в пауерліфтингу : патент 101811 UA, МПК (2015) A63B 21/00, G03B 21/00 / Панарін Б. Г., Власов А. П., Розторгуй М. С. – № u 201504522; заявл. 08.05.2015 ; опуб. 25.09.2015, Бюл. № 18, 2015 р.

 

2013:

1. Інформаційні аспекти складнокоординаційних рухів у стрілецьких видах спорту / Власов А. П., Лопатьєв А. О., Трач В. М., Івашко М. В., Бретц Кароль  // Моделювання та інформаційні технології у фізичному вихованні і спорті : ІХ Міжнар. наук. конф. – Х., 2013. – С. 34 – 36.

2. Лопатьєв А. О. Інформаційні та енергетичні аспекти аналізу складно-коор¬ди¬наційних рухів стрільців / Лопатьєв А. О., Власов А. П., Трач В. М. // Теорія та методика фізичного виховання. – 2013. – № 6. – C 32 – 38.

 
2012:

1. Власов А. П. Моделювання мотиваційних ситуацій у спорті вищих досягнень / Власов А. П., Лукашук В. В., Сидорук В. В. // Моделювання та інформаційні технології у фізичному вихованні і спорті : матеріали VIIІ Міжнар. наук. конф. – Х., 2012. – С. 26 – 29.

2. Власов А. П. Моделювання мотиваційних ситуацій у спорті вищих досягнень / Власов А. П., Лукашук В. В., Сидорук В. В. // Теорія та методика фізичного виховання. – 2012. – № 3. – С. 46 – 50.

3. Рухові дії стрільців та моделювання біологічних систем / Власов А. П., Лопатьєв А. О., Трач В. М., Кароль Бретц // Моделювання та інформаційні технології у фізичному вихованні і спорті : матеріали VIIІ Міжнар. наук. конф. – Х., 2012. – С. 15 – 18.

4. Енергетичні та інформаційні аспекти аналізу рухових дій людини у стрілецьких видах спорту / Лопатьєв А. О., Власов А. П., Трач В. М., Івашко М. В., Демічковський А. П. // Електроніка та інформаційні технології : зб. матеріалів IV наук.-практ. конф. – Л. ; Чинадієво 2012. – С. 123 – 125.

 
2011:

1. Особливості оцінки спортивних вимірів з використанням персонального комп’ютера / Заячук І. М., Благітко Б. Я., Власов А. П., Кукуюк Ю. М. // Теорія та методика фізичного виховання. – 2011. – № 4. – С. 13 – 15.

2. Особливості оцінки спортивних вимірів з використанням персонального комп’ютера / Заячук І. М., Благітко Б. Я., Власов А. П., Кукуюк Ю. М. // Моделювання складних систем в області механіки людини, фізичного виховання і спорту : матеріали VІІ електрон. Всеукр. наук. конф. – Х., 2011. – С. 18 – 20.

3. Спосіб реєстрації кінематичних параметрів руху штанги важкоатлета : свідоцтво про реєстрацію автор. права на твір № 39568 / Панарін Б. Г., Мартин В. Д., Власов А. П. – Зареєстр. 10.08.2011.

4. Characteristic of posture stability and balance volleyball players by means of stabilometric platform [Electronic resource] / Joanna Dudek, Wojciech Bajorek, Wojciech Czarny, Paweł Król, Marian Rzepko, Andriy Vlasov, Bogdan Vynogradskyi // Спортивна наука України. – 2011. – № 8. – С. 41 – 43. – Access mode : http://www.sportscience.org.ua/index.php/Arhiv.html?file=tl_files/Arxiv+2011/8/Dudek.pdf

5. Technologia biofeedback i jej możliwości zastosowania w badaniach naukowych [Electronic resource] / Stanisław Zaborniak, Wojciech Czarny, Sławomir Drozd, Monika Drozd, Klementyna Polak, Jacek Trojnar, Andriy Vlasov, Bogdan Vynogradskyi // Спортивна наука України. – 2011. – № 11. – С. 3 – 14. – Access mode : http://www.sportscience.org.ua/index.php/Arhiv.html?file=tl_files/Arxiv+2011/11/ZaborniakS.pdf

 
2010:

1. Аналіз рухових дій при виконанні стрілецьких вправ / Власов А. П., Виноградський Б. А., Демічковський А. П. Лопатьєв А. О. // Вісник Чернігівського державного університету. Серія: Педагогічні науки. Фізичне виховання і спорт. – Чернігів, 2010. – Вип. 81. – С. 561–565.

2. Використання показників варіабельності серцевого ритму для характеристики функціональної підготовленості спортсменів-біатлоністів / Любомир Вовканич, Богдан Виноградський, Андрій Власов, Віктор Бережанський, Юлія Павлова, Юлія Беган // Молода спортивна наука України : зб. наук. пр. з галузі фіз. культури та спорту / за заг. ред. Євгена Приступи. – Л., 2010. – Вип. 14, т. 3. – С. 50 – 55.

3. Особливості показників системи зовнішнього дихання біатлоністів високої кваліфікації / Вовканич Л. С., Виноградський Б. А., Власов А. П., Павлова Ю. О. // Моделювання складних систем в області механіки людини, фізичного виховання і спорту – 2010 : матеріали Всеукр. VІ електрон. наук. конф. – Х., 2010. – С. 9–11.

4. Особливості показників системи зовнішнього дихання біатлоністів високої кваліфікації / Вовканич Л. С., Виноградський Б. А., Власов А. П., Павлова Ю. О. // Теорія та методика фізичного виховання. – 2010. − № 3. – С. 15 – 18.

 
2009:

1. Линець М. М. Застосування спортивних тренажерів для змагань у режимі реального часу / Линець М. М., Панарін Б. Г., Власов А. П. // Теорія та методика фізичного виховання. – 2009. – № 5. – С. 35 – 36.

2. Комплексна діагностика анаеробних можливостей спортсменів / Вовканич Л. С., Власов А. П., Савицький Г. В., Климович Ю. С. // Вісник Львів. нац. ун-ту імені Івана Франка. Серія: Фізика. – Л., 2009. – Вип. 44. С. – 220–225.

3. Характеристика анаеробних можливостей кваліфікованих бігунів/ Вовканич Л. С., Власов А. П., Савицький Г. В., Лозинський А. Б., Конестяпін В. Г., Коваль Н. А. // Моделювання складних систем в області механіки людини, фізичного виховання і спорту : матеріали V Всеукр. електрон. наук. конф. – Х., 2009. – С. 9–11.

4. Характеристика анаеробних можливостей кваліфікованих бігунів / Вовканич Л. С., Власов А. П., Савицький Г. В., Лозинський А. Б., Конестяпін В. Г., Коваль Н. А. // Теорія та методика фізичного виховання. – 2009. – № 6. – С. 9 – 11.

 
2008:

1. Вовканич Л. Перспективи використання програмно-апаратного комплексу для моделювання функціонального стану спортсмена / Любомир Вовканич, Андрій Власов // Моделювання складних систем у галузі механіки людини, фізичного виховання і спорту : матеріали Всеукр. наук. конф. – Л., 2008.

2. Вовканич Л. С. Перспективи використання програмно-апаратного комплексу на базі велоергометра ВЭ02 при проведенні короткочасних анаеробних тестів / Любомир Вовканич, Андрій Власов, Наталія Коваль // Молода спортивна наука України : зб. наук. пр. з галузі фіз. культури та спорту. – Л., 2008. – Вип. 12, т. 3. – С. 40 − 46.

3. Комплексна діагностика анаеробних можливостей спортсменів / Л. Вовканич, А. Власов, Г. Савицький, А. Лозинський, Ю. Климович // Фізичні методи в екології, біології та медицині : матеріали міжнар. наук. конф. – Л., 2008. – С. 40 − 41.

4. Перспективи використання програмно-апаратного комплексу для моделювання функціонального стану спортсмена / Вовканич Любомир, Власов Андрій, Савицький Григорій, Лозинський Андрій // Теорія та методика фізичного виховання. – 2008. – № 7. – С. 3 − 6.

5. Релаксация электрических свойств эпитаксиальных слоев CdxHg1-xTe:As(Sb), конвертированных в п-тип ионным травлением / Ижнин И. И., Богобоящий В. В., Власов А. П. [и др.] // Прикладная физика. – 2008. – № 4. – С. 115 − 121.

6. Vynohradskyi B. A. Improvement of instrumental methods of control of oscillation processes of the “archer-bow” biomechanical system / B. A. Vynohradskyi, A. P. Vlasov // Rozprawy naukowe AWF we Wrocławiu. – Wrocław, 2008. – V. 26. – S. 30 − 34.

7. Reconstruction of lattice structure of ion-implanted near-surface regions of HgCdTe epitaxial layers / Vlasov A. [et al.] // Thin Solid Films. – 2008. – Vol. 516. – P. 8106 − 8111.

8. Structural changes in graded band-gap epitaxial layers CdxHg1–xТе after ion implantation / R. A. Zaplitnyy, I. M. Fodchuk, T. A. Kazemirskiy, A. P. Vlasov [et al.] // Proc. SPIE. – 2008. – Vol. 7008. – Р. 1С-1 – 1С-6.

9. The application of ion implantation as efficient source of impurity for HgCdTe epitaxial structures / Bonchyk O., Vlasov A., Kiyak S., Levintant-Zayonts N., Siatek Z., Fodchuk I. // Ion implantation and other applications of ions and electrons : VIIth international conference. – Kazimierz Dolny, 2008.

 
2007:

1. Влияние двукратной имплантации ионов As на структурные свойства эпиаксиальних слоев Hg1-xCdxTe / Заплитный Р. А., Каземирский Т. А., Фодчук И. М., Бончик А. Ю., Власов А. П. // Материалы VI Нац. конф. по применению рентгеновского, синхротрон¬ного излучений, нейтронов и электронов для исследования материалов. – М., 2007.

2. Влияние кристаллической ориентации положки на структурные и электрофизические свойства эпитаксиальных слоев CdХHg1–ХТе/ CdТе / Каземирский Т. А., Литвинчук Т. В. Заплитный Р. А., Фодчук И. М., Бончик А. Ю., Власов А. П. // Матеріали ХІ Між¬нар. конф. з фізики і технології тонких плівок та наносистем. – Івано-Франківськ, 2007. – Т. 2. –С.87–88.

3. Изменения в дефектной структуре эпитаксиальных слоев Hg1-xCdxTe после имплантации ионами As / Заплитний Р. А., Каземирский Т. А., Фодчук И. М., Бончик О. Ю., Власов А. П. // Тези доп. ІІІ Укр. наук. конф. з фізики напівпровідників УНКФН-3. – О., 2007. – С. 452.

4. Особливості кристалічної структури варізонних шарів CdHgTe / Власов А. П., Сторчун О. П., Бончик О. Ю., Кияк С. Г., Савицький Г. В., Свьонтек З. // Ntpb ljg/ ІІІ Укр. наук. конф. з фізики напівпровідників УНКФН-3. – О., 2007. – С. 187.

5. Influence of laser shock waves on As implanted HgCdTe / Yakovyna V., Berchenko N., Kuzma M., Vlasov A. // Phys. Stat. Solids.– 2007. – Vol. 4, N 4. –P. 1570–1573.

6. Relaxation of electrical properties of epitaxial CdxHg1-xTe:As(Sb) layers converted into n-type by ion milling / Izhnin I. I., Bogoboyashchyy V. V., Vlasov A. P. [et al.] // Proc. SPIE. – 2007. – Vol. 6636.

7. Reconstruction of lattice structure of ion-implanted near-surface regions of HgCdTe epitaxial layers / Vlasov A., Bonchyk O., Kiyak S., Fodchuk I., Zaplitnyy R., T. Kazemyrskii, Barcz A. , Zieba P., Swiatek Z. // E-MRS Fall Meeting 2007, Symposium H: Current trends in optical and X-ray metrology of advanced materials and devices II/ Abstracts, September 17– 21. – Warsaw, 2007.

8. The controlled doping and structural homogeneity of CdHgTe epitaxial layers / A. Vlasov, O. Bonchyk, I. Fodchuk, R. Zaplitnyy, A. Barcz, Z. Swiatek, l. Litynska-Dobrzynska, P. Zieba, E. Bielanska, J. Guspiel // Archives of metallurgy and materials. – 2007. – Vol. 52, is. 4. – P. 563–568.

9. Програмно-апаратні тренажерні комплекси для змагань в режимі реального часу : а. с. № 23135 Україна / Панарін Б. Г., Линець М. М., Власов А. П. – Заявл. 13.12.2007.

 
2006:

1. Ижнин И. И. Релаксация параметров конвертированных при ионном травлении слоев в CdxHg1-xTe: As(Sb) / Ижнин И. И., Власов А. П., Мынбаев К. Д. // Тез. докл. XIХ Междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 23–26 мая 2006 г. – М., 2006. – C. 154–155.

2. Нерівноважні методи оброблення матеріалів з використанням імпульсного лазерного випромінювання та іонної імплантації / Бончик О. Ю., Власов А. П., Кияк С. Г., Готра З. Ю., Могиляк І. А., Савицький Г. В. // Вісник НУ „Львівська політехніка”. Серія: Елементи теорії та прилади твердо тільної електроніки. – Л., 2006. – № 569. – С. 157–164.

3. Особенности варизонных фотодиодов с немонотонным координатным профилем ширины запрещенной зоны / Соколовский Б. С., Писаревский В. К., Власов А. П., Ильчук Г. А. // Прикладная физика. – 2006. – № 1. – С. 51–56.

4. Особливості парофазного та твердофазного легування арсеном шарів CdHgTe в процесі епітаксії / Власов А. П., Бончик О. Ю., Кияк С. Г., Савицький Г. В., Сімків Б. О.,Заплітний Р. А. // Вісник НУ „Львівська політехніка”. Серія: Електроніка. – Л., 2006. – №. 558. – С. 42–47.

5. Создание примесно легированных n - р структур CdHgTe / Власов А. П., Бончик А. Ю., Ижнин И. И., Барч А. // Те. Докл. XIХ Междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 23–26 мая 2006 г. – М., 2006. – C. 110–111.

6. Relaxation of electrical properties of n-type layers formed by ion milling in epitaxial HgCdTe doped with V-group acceptors / Bogoboyashchyy V. V., Izhnin I. I., Mynbaev K. D., Pociask M., Vlasov A P. // Semicond. Sci. Technol. – 2006. – Vol. 21. – P. 1144–1149.

7. Solid state doping of CdХHg1-ХTe epitaxial layers with elements of V group / Vlasov A. P., Bonchyk A. Yu., Fodchuk I. M., Zaplitnyy R. A., Barcz A., Swiatek Z. T. // Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. – 2006. – Vol. 9 N 1. – P. 36–42.

8. The role of radiation defects in HgCdTe epitaxial growth / Vlasov A., Bonchyk O., Fodchuk I., Zaplitnyy R., Barcz A., Swiatek Z., Litynska-Dobrzynska L., Zieba P., Bielanska E. and Guspiel J. // E-MRS Fall Meeting 2006, Symposium F: Wide Band Gap II-VI Semiconductors: Growth, Characterization and Applications : Abstracts, September 4–8, 2006. –Warsaw, 2006. – P. 164.

9. Ion implantation of CdHgTe epitaxial structures by As / R. Zaplitnyy, T. A. Kazemirskiy, I. Fodchuk, Z. Swiatek, A. Vlasov, O. Bonchyk // 8th Biennial Conference on High Resolution X-Ray Diffraction and Imaging Х-ТОР 2006. – Baden-Baden (Germany), 2006. – P. 98.

10. Influence of ion implantation on the structural changes in graded band-gap-epitaxial layers CdxHg1–xТе / Zaplitnyy R. A., Fodchuk I. M., Kazemirskiy T. A., Vlasov A. P., Bonchyk O. Yu. // Ion 2006. – Kazimierz Dolny, 2006 – C. 151.

 
2005:

1. Вплив двократної іонної імплантації на структурні зміни в варізонних епітаксійних шарах CdxHg1–xТе / Заплітний Р. А., Фодчук І. М., Власов А. П., Бончик О. Ю. // Матеріали Х Між¬нар. конф. з фізики і технології тонких плівок. – Івано-Франківськ, 2005. – Т. 1. – С. 185.

2. Особливості газо- та твердофазного легування арсеном шарів CdHgTe в процесі ВКД епітаксії / Власов А. П., Бончик О. Ю, Сторчун О. П., Кияк С. Г. // Актуальні проблеми фізики напівпровідників : тези доп. V Міжнар. школи-конф. – Дрогобич, 2005. – С. 176.

3. Состояние поверхности моно¬кристаллов CdTe после имплантации ионов As / Заплитный Р. А., Фодчук И. М., Власов А. П., Бончик А. Ю. // Матеріали Х Міжнар. конф. з фізики і технології тонких плівок. – Івано-Франківськ, 2005. – С. 186.

4. Структурные изменения в варизонных эпитаксиальных слоях CdHgTe после имплантации ионов As / Р. А Заплитный, И. М. Фодчук, А. П. Власов, А. Ю. Бончик // V национальная конференция по применению рентгеновского синхротронного излучения нейтронов и электронов для исследования материалов, Москва, Россия, 2005. – С.59.

5. Твердофазне легування елементами V групи періодичної таблиці епітаксійних шарів CdХHg1-ХТe / Власов А. П., Сторчун О. П., Бончик О. Ю. [та ін.] // Науковий вісник Чернівецького університету. Серія: Фізика. Електроніка. – Чернівці, 2005. – Вип. 237. – С. 99–108.

6. Zaplitnyy R. A. Influence of ion implantation on the structural changes ingraded bang-gap epitaxial layers CdHgTe / Zaplitnyy R. A., Vlasov A. P., Bonchyk O. Yu. // The 7-th International Conference Correlation Optics 2005. – Chernivtsi, 2005. – P. 143.

7. Peculiarities of graded-gap photodiodes with nonmonolitic profileof the band-gap / Sokolovskii B. S., Pysarevsky V. K., Vlasov A. P., Il’chuk G. A // Proc. SPIE. – 2005. – Vol. 5834. – P. 236–241.

 
2004:

1. Влияние внутреннего элект¬рического поля на диффузию мышьяка в варизонных эпитаксиальных слоях CdHgTe / Власов А. П., Монастырский Л. С., Соколовский Б. С., Ильчук Г. А. // Письма в ЖТФ. – 2004. – Т. 30, вып. 22. – С. 89–94.

2. Инфракрасные фотоэлектронные сенсоры на основе гетероструктур кремния и кадмий-ртуть-теллура / Монастырский Л. С., Оленич И. Б., Кавыч В. И., Власов А. П. // Тез. докл. XVIII Междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25–28 мая 2004 г. – М., 2004. – C. 133.

3. Особенности варизонных фотодиодов с немонотонным координатным профилем ширины запрещенной зоны / Соколовский Б. С., Писаревский В. К., Власов А. П., Ильчук Г. А. // Тез. докл. XVIII Междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 25–28 мая 2004 г. – М., 2004. – C. 132.

4. Рентгеноструктурні методи аналізу епітаксійних шарів CdHgTe / Власов А., Бончик О., Фодчук І., Заплітний Р. // Зб. наук. пр. Фізико-механічного інституту ім. Г. В. Карпенка НАН України. Серія: Фізичні методи та засоби контролю середовищ, матеріалів та виробів. – Л., 2004. – Вип. 9. – C. 156–159.

5. Структурні особливості іонного легування As варізонних епітаксійних шарів CdXHg1-XTe / Заплітний Р. А., Власов А. П., Бончик О. Ю, Фодчук І. М. // Науковий вісник Чернівецького університету. – Чернівці, 2004. – Вип. 201. – С. 60–66.

6. Структурные изменения в ва¬ри¬зонных эпитаксиальных слоях CdXHg1-XTe после ионного легирования As / Заплитный Р. А., Власов А. П., Бончик О. Ю., Фодчук И. М. // Тези доп. ІІ Укр. наук. конф. з фізики напівпровідників, 20–24 вересня 2004 р. – Чернівці, 2004. – С. 417.

7. Твердофазне легування елементами V групи періодичної таблиці епітаксійних шарів CdXHg1-XTe / Власов А. П., Сторчун О. П., Бончик О. Ю., Фодчук І. М., Заплітний Р. А., Барч А., Свьонтек З. // Тези доп. ІІ Укр. наук. конф. з фізики напівпровідників, 20–24 вересня 2004 р. – Чернівці, 2004. – Т. 2. – С. 91.

8. Твердофазне легування сурмою епітаксійних шарів CdXHg1-XTe / Власов А. П., Писаревський В. К., Сторчун О. П., Бончик О. Ю, Барч А., Свьонтек З. // Фізика і хімія твердого тіла. – 2004. – Т. 5, № 2. – С. 251–255.

9. High temperature arsenic doping of CdHgTe epitaxial layers / Vlasov A., Bogoboyashchyy V., Bonchyk O., Barcz A. // Cryst. Res. Technol. – 2004. – Vol. 39, N 1. – P. 11–22.

10. Sklyarchuk V. M. Electrophysical properties of liquid CdTe with Arsenic admixutes / Sklyarchuk V. M., Plevachuk Yu. O., Vlasov A. P. // E-MRS Fall Meeting 2004. Symposium B: Development of methods for characterizing the microstructure of novel materials : Abstracts, September 6–10, 2004. – Warsaw, 2004. – P. 43.

11. Structural changes in graded-band-gap epitaxial layers CdXHg1-XTe after ion doping of As / Zaplitnyy R., Vlasov A., Bonchyk O., Fodchuk I.  // 7th Biennial Conference on High Resolution X-Ray dif¬f¬rac¬tion and Imaging : Books of Abst, Sept. 7–10, 2004. – Prague, 2004. – P. 98.

12. The effect of built-in electric field on As diffusion in HgCdTe graded-band-gap epitaxial layers / Vlasov A. Р., Sokolovskii B. S., Monastyrskii L. S., Bonchyk O. Yu., Barcz A. // Thin Solid Films. – 2004. – Vol. 459. – P. 28–31.

13. The Effect of Internal Electric Field on the High-Temperature Diffusion of Arsenic in Variable Band Gap Epitaxial CdHgTe Layers / Vlasov A. P., Monastyrski L. S., Sokolovski B. S., Il’chuk G. A. // Technical Physics Letters. – 2004. – Vol. 30, N 11. – P. 970–972.

 
2003:

1. Особенности формирования дифузионных p-n переходов в варизонных эпитаксиальных слоев CdXHg1-XTe / Власов А. П., Писаревский В. К., Шевченко А. В., Бончик А. Ю., Барч А. // Прикладная физика. – 2003. – № 3. – С. 56–60.

2. Рентгенодифракционные исследования структурного совершенства подложек CdTe и систем CdHgTe/CdTe / Власов А., Бончик О., Заплитный Р., Фодчук И. // ”Фізика і технологія тонких плівок : матеріали IX Міжнар. конф. – Івано-Франківськ, 2003. – Т. 1. – С. 139–140.

3. Твердофазне легування сурмою епітаксійних шарів CdXHg1-XTe / Власов А. П., Писаревський В. К., Сторчун О. П., Бончик О. Ю, Барч А., Фодчук И. // Фізика і технологія тонких плівок : матеріали IX Міжнар. конф. ”. – Івано-Франківськ, 2003. – Т. 1. – С. 190–191.

4. Peculiarities of diffusion p-n junction formation in CdXHg1-XTe graded-band-gap epitaxial structures / Vlasov A. P., Pysarevsky V. K., Shevchenko A. V., Bonchyk A. Yu., Barch A. // Proc. SPIE. – 2003. – Vol. 5126. – P. 391–397.

5. Plevachuk Yu. O. Thermoelectric properties of liquid CdTe in the stoichiometric composition range / Plevachuk Yu. O., Sklyarchuk V. M., Vlasov A. P. // Functional Materials. – 2003. – Vol. 10, N 3. – P. 1–4.

6. Conductivity type conversion in p- CdXHg1-XTe / Berchenko N. N, Bogoboyashchiy V. V., Izhnin I. I., Kurbanov K. R., Vlasov A. P., Yudenkov V. A. // Opto- Electronics Review. – 2003. – Vol. 11, N 2. – P. 93–97.

7. Conductivity type conversion in p- CdXHg1-XTe / Berchenko N. N, Bogoboyashchiy V. V., Izhnin I. I., Kurbanov K. R., Vlasov A. P., Yudenkov V. A. // Proc. SPIE. – 2003. – Vol. 4654. – P. 174–179 .

8. Time relaxation of point defects in p- and n-(HgCd)Te after ion milling / Belas E., Bogoboyashchyy V. V, Grill R., Iznin I. I., Vlasov A. P., Yudenkov V. A. // J. Electron. Mater. – 2003. – Vol. 32, N 7. – P. 698–702.

9. X-ray diffraction studies of radiation defects in CdTe single crystals and epitaxial layers / Bonchyk O. Yu., Vlasov A. P., Fodchuk I. M, Zaplitnyy R. M., Swiatek Z. T. // E-MRS Fall Meeting 2003. Symposium B: Development of methods for characterizing the microstructure of novel materials : Abstracts, September 15–19, 2003. – Warsaw, 2003. – P. 71–72.

 
2002:

1. Дослідження дифузійнх p-n переходів, сформованих у варізонних епітаксійних шарах CdXHg1-XTe / Стахіра Р. Й., Власов А. П., Писаревський В. К., Сімків Б. О, Шевченко А. В., Бончик О. Ю., Барч А. // Тези доп. І Укр. наук. конф. з фізики напівпровідників. – О., 2002. – Т. 2. – С. 100.

2. Низькотемпературні методи модифікації властивостей CdxHg1-xTe та структур на його основі / Берченко М. М., Богобоящий В. В., Власов А. П., Іжнін І. І., Яковина В. С. // Вісник НУ „Львівська політехніка”. Серія: Електроніка. – Львів, 2002. – № 459. – С. 18–28.

3. Особенности формирования дифузионных p-n переходов в варизонных эпитаксиальных слоев CdXHg1-XTe / Власов А. П., Писаревский В. К., Шевченко А. В., Бончик А. Ю., Барч А. // Тез. докл. XVII Междунар. науч.-техн. конф. по фотоэлектронике и приборам ночного видения, 27–31 мая 2002 г. – М., 2002. – C. 148.

4. Особливості конверсії типу провідності в р-CdxHg1-xTe при іонно-променевому травленні та відпалі анодного оксиду / Берченко М., Богобоящий В., Власов А., Іжнін І., Курбанов К., Юденков В. // Тези доп. І Укр. наук. конф. з фізики напівпровідників.– О., 2002.– Т. 2.– С. 242–243.

5. Vlasov A. Electrical conductivity and thermo-EMF of CdTe with As admixture during melting / Vlasov A., Sklyarchuk V., Plevachuk Yu. // VIII International seminar on Physics and Chemistry of Solids : Abstracts, June 20–21, 2002. –Lviv, 2002. – P. 71.

6. Vlasov A. P. High temperature (T = 450-600 C) arsenic doping of CdHgTe epitaxial layers / Vlasov A. P., Bonchyk A. Yu., Barcz. A. // International Conference on Solid State Crystals : мaterials Science and Applications, October 14–18, 2002. – Zakopane, 2002. – P. 143.

7. Controlled arsenic diffusion in epitaxial CdXHg1-XTe layers in the evaporation-condensation-diffusion process / Vlasov A., Pysarevsky V., Storchun O., Shevchenko A., Bonchyk A., Pokhmurska H., Barcz A., Swiatek Z. // Thin Solid Films. – 2002. – Vol. 403/404.– P. 144–147.

8. Defect structure rebuilding of As and Sb doped p-CdxHg1-xTe by ion beam milling / Berchenko N. N., Bogoboyashchiy V. V., Vlasov A. P., Izhnin I. I., Ilyina Yu. S. // Phys.Stat.Solidi.– 2002. – Vol. 229, N 1. – P. 279–282.

9. Investigation of arsenic diffusion in graded-band-gap CdHgTe epitaxial layers / Vlasov A. P., Sokolovskii B. S., Monastyrskii L. S., Pysarevskii V. K., Bonchyk A., Barcz A., Swiatek Z. // Thin Film Chalcogenide Photovoltaic Materials : Abstracts of EMRS, June 18–21, 2002. – Strasbourg, 2002. – P. 38.

10. Managed conditions in epitaxial growth of HgCdTe by evaporation-condensation-diffusion method and their quality control / Mansurov L. G., Vlasov A. P., Storchun O. P., Simkiv B. O., Pysarevskii V. K., Fodchuk I. M. // Зб. наук. пр. Фізико-механічного інституту ім. Г. В. Карпенка НАН України. Серія: Фізичні методи та засоби контролю середовищ, матеріалів та виробів. – Л., 2002. – Вип. 7. – C. 250–254.

11. On the Field-Aided Diffusion of Charged Impurities in Semiconductors / Monastyrskii L. S., Sokolovskii B. S., Vlasov A. P., Kovtun R. M., Broda A. M.// Збірник НТШ. – 2002. – Т. 5. – C. 58–67.

12. Peculiarities of As diffusion in graded-band-gap CdHgTe epitaxial layers / Vlasov A. P., Sokolovskii B. S., Monastyrskii L. S., Pysarevskii V. K., Bonchyk A., Barcz A. // Mass and Charge Transport in Inorganic Materials : Abstracts Inter. Conf., July 14–19, 2002. – Florence, 2002. – P. 46.

13. Photosensitivity and photoemission porous-silicon-based heterostructures / Monastyrskii L. S., Vlasov A. P., Olenych I. B., Parandiy P. P., Savchyn V. P., Kostukevich S. O. // Proc. SPIE. – 2002. – Vol. 4654. – P. 174–179.

14. Porous silicon heterostryctures IR sensitivity / Monastyrskii L. S., Olenych I. B., Kavych V. Y., Vlasov A. P. // International Conference on Solid State Crystals : Materials Science and Applications, October 14–18, 2002. –Zakopane, 2002. – P. 186.

15. Porous silicon photoemission for possible electronic and accessory applications / Monastyrskii L. S., Olenych I. B., Vlasov A. P., Parandiy P. P., Kavych V., Simkiv B. O., Savchyn V. P., Kostiukevych S. // Proc. SPIE – 2002. – Vol. 4795. – Р. 166–172.

16. Structural singularities of arsenic ion doping in graded-band-gap CdHgTe epitaxial layers / Vlasov A., Storchun O., Bonchyk O., Fodchuk I., Zaplitnyy R., Barcz. A. // E-MRS Fall Meeting 2002. Symposium G: Solid Solutions of the II–VI Compounds – Growth, Characterization and Applications : Abstracts, October 14–18, 2002. – Zakopane, 2002. – P. A77.

17. Type conductivity conversion in As, Sb doped p-CdxHg1-xTe under ion beam milling / Berchenko N. N., Bogoboyashchiy V. V., Vlasov A. P., Izhnin I. I., Ilyina Yu. S. // Surface and Coatings Technol.– 2002.– Vol. 158/159C.– P. 732–736.

18. Type conductivity conversion in p- CdXHg1-XTe / N. Berchenko, V. Bogoboyashchiy, I. Izhnin, K. Kurbanov, A. Vlasov, V. Yudenkov  // International Conference on Solid State Crystals : materials Science and Applications, October 14–18, 2002. – Zakopane, 2002. – P. 197.

 
2001:

1. Богобоящий В. В. Механизм конверсии типа проводимости в легированном мышьяком p-CdxHg1-xTe при ионно-лучевом травлении / Богобоящий В. В., Власов А. П., Ижнин И. И. // Известия вузов. Физика. – 2001. – Вып. 1. – С. 50–59.

2. Вплив неоднорідності зонної структури на дифузію іонізованих домішок в напівпровіднику / Л. С. Монастирський, Б. С. Соколовський, А. П. Власов, Р. М. Ковтун, А. М. Брода // Сучасні проблеми фізики напівпровідників : матеріали III Міжнар. школи-конф. – Дрогобич, 2001. – С. 26

3. Комплексоутворення та конверсія типу провідності в домішково-легованому p-CdxHg1-xTe при іонно-променевому травленні / Н. Н. Берченко, В. В. Богобоящий, А. П. Власов, І. І. Іжнін // Сучасні проблеми фізики напівпровідників : тези доп. III Міжнар. школа-конф. – Дрогобич, 25 – 30 черв. 2001 р. – Дрогобич, 2001. – С. 4.

4. Bogoboyashchii V. V. Mechanism for Conversion of the Conductivity Type in Arsenic-Doped p-CdxHg1–xTe Subject to Ionic Etching / V. V. Bogoboyashchii, A. P. Vlasov, I. I. Izhnin // Russian Physics Journal. – 2001. – Vol. 44 (1). – Р. 61 – 70.

5. Monastyrskii L. S. Porous silicon and cadmium-mercury-telluride (CMT)-based heterostructures for IR detectors / Monastyrskii L. S., Vlasov A. P., Kovtun R. M. // Proc. SPIE. – 2001.–Vol. 4454. – Р. 238–243.

6. Defect structure rebuilding of As and Sb doped p-CdxHg1-xTe by ion-beam milling / N. N. Berchenko, V. V. Bogoboyashchiy, A. P. Vlasov, I. I. Izhnin, Yu. S. Ilyina // Abs. The 10-th Intern. Conf. on II–VI compounds. – Bremen, 2001. – P. 42.

7. Type conductivity conversion in As, Sb doped p-CdHgTe under ion beam milling // N. N. Berchenko, V. V. Bogoboyashchiy, A. P. Vlasov, I. I. Izhnin, Yu. S. Ilyina // 12-th International Conference on Surface Modification of Materials by Ion Beams : Abstracts, September 9 – 14, 2001, Marburg, Germany. – Marburg, 2001. – P. 8 – 13.

8. RF magnetron sputtering SiOx, ZnS, and Al2O3 films for capsulation of nanostructured porous silicon / L. S. Monastyrskii, R. M. Kovtun, A. P. Vlasov, S. O. Kostukevich // Proc. SPIE. – 2001. – Vol. 4454. – Р. 233 – 237.

 
2000:

1. Конверсия типа проводимости в МЛЭ CdxHg1-xTe структурах при ионно-лучевом травлении / В. В. Богобоящий, А. П. Власов, С. А. Дворецкий, И. И. Ижнин, Д. Ю. Протасов, Л. Н. Ромашко, Ю. Г. Сидоров // Нанофизика и наноэлектроника : науч. тр. II рос.-укр. семинара. – К., 2000. – С. 63 – 64.

2. Vlasov A. Study of pecularities of MCT photodiode manufacturing / A. Vlasov, L. Mansurov, V. Pysarevskij // Material Science and material properties for infrared optoeletronics : Fifth International conferense. – Kiev, 2000.

3. Yarish I. STM investigation of potential relief formed on CdHgTe surface by different ways / I. Yarish, A. Vlasov, I. Malynych // Material Science and material properties for infrared optoeletronics : Fifth International conferense. – Kiev, 2000.

4. Formation of p-n-junction in MCT / A. Vlasov, L. Mansurov, M. Lozynskaya, V. Pysarevskij // The 16-th Inernational technological conference on photoelectronics and starlight viewers. – Moscow, 2000.

5. Electrophysical and structural properties of HgTe:As obtained in RF mercury glow discharge / L. Mansurov, M. Lozynska, A. Nemolovsky, A. Vlasov // Material Science and material properties for infrared optoeletronics : Fifth International conferense. – Kiev, 2000.

 
1999:

1. Influence of Semiconductor Structure Inhomogeneuity on Electrophysical Measurements Results /  V. G. Savitsky, A. P. Vlasov, A. V. Nemolovsky, B. S. Sokolovsky // Proc. SPIE. – 1999. – Vol. 3890. – P. 343 – 347.

 
1998:

1. Influence of Semiconductor Structure Inhomogeneuity on Electrophysical Measurements Results / V. G. Savitsky, A. P. Vlasov, A. V. Nemolovsky, B. S. Sokolovsky // Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics : Abstracts of IV International Conference. – Kyiv, 1998. – Р. 102.

 
1997:

1. Savitsky V. Using of variable magnetic field Hall measurements for determination of graded band gap epitaxial layers / V. Savitsky, A. Vlasov, A. Nemolovsky // Physical problems in material science of semiconductors : Abstracts of Second International School-Conference. – Chernivtsy, 1997. – P. 227.

 
1996:

1. Arsenic doping of mercury cadmium telluride at elevated temperatures (400-600oC) / V. Savitsky, A. Vlasov, I. Malynych, L. Mansurov, A. Nemolovsky // Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics : Abstracts of International Conference. – Uzhgorod, 1996. – P. 143.

2. Arsenic doping of mercury telluride epitaxial layers / V. Savitsky, L. Mansurov, V. Kavych, A. Nemolovsky, A. Vlasov, M. Lozynska // Material Science and Material Properties for Infrared Optoelectronics : Abstracts of International Conference. – Uzhgorod, 1996. – P. 161.

 
1993:

1. Епітаксія CdHgTe у високочастотній (ВЧ) ртутній плазмі / Л. Г. Мансуров, І. З. Малинич, А. П. Власов, М. І. Лозинська // Тези доп. ювілейної конф., присвяч.. 40-річчю фіз. ф-ту. – Л., 1993.

 

Назад

НАВІГАЦІЯ ПО САЙТУ